- No entrar con comida o bebida al salón.
- Al hacer uso de una computadora revise que todo se encuentre en orden y en buen estado.
- No correr.
- No hablar (platicar, gritar) ni jugar.
- No introducir dispositivos extraíbles con virus.
- No instalar programas ajenos a la materia.
- No mover el equipo de su lugar.
- No tirar basura.
- No utilizar la computadora, cuando el profesor este hablando.
- No utilizar el celular.
- Apagar la computadora cuando se termine de usar.
- Poner atención a las clases y cumplir con las tareas.
- Anotarse en la bitácora a la hora de entrar al salón.
miércoles, 21 de septiembre de 2011
REGLAMENTO DEL SALON
domingo, 18 de septiembre de 2011
MEMORIA RAM
MEMORIA RAM
Proviene de ("Read Aleatory Memory") ó memoria de lectura aleatoria: es un dispositivo electrónico que se encarga de almacenar datos e instrucciones de manera temporal, de ahí el término de memoria de tipo volátil ya que pierde los datos almacenados una vez apagado el equipo; pero a cambio tiene una muy alta velocidad para realizar la transmisión de la información.
En la memoria RAM se carga parte del sistema operativo (Linux Ubuntu, Apple® MacOS, Microsoft® Windows 7, etc.), los programas como (Office, Winzip®, Nero®, etc.), instrucciones desde el teclado, memoria para desplegar el video y opcionalmente una copia del contenido de la memoria ROM
TIPOS DE MEMORIA
Hay tres tipos de memorias RAM, las primeras son las DRAM, SRAM y una emulación denominada Swap:
DRAM "Dinamic Random Access Memory", memoria dinámica de acceso aleatorio Es el tipo de memoria mas común y económica, construida con capacitores por lo que necesitan constantemente refrescar el dato que tengan almacenado, haciendo el proceso hasta cierto punto lento.
SRAM / Caché Las siglas provienen de ("Static Read Aleatory Memory") ó estáticas, debido a que sus chips se encuentran construidos a base de transistores, los cuáles no necesitan constantemente refrescar su carga (bits) y esto las hace sumamente veloces pero también muy caras. El término memoria Caché es frecuentemente utilizada pare este tipo de memorias, sin embargo también es posible encontrar segmentos de Caché adaptadas en discos duros, memorias USB y unidades SSD.
Swap La memoria virtual ó memoria Swap ("de intercambio") no se trata de memoria RAM como tal, sino de una emulación (simulación funcional), esto significa que se crea un archivo de grandes dimensiones en el disco duro ó unidad SSD, el cuál almacena información simulando ser memoria RAM cuándo esta se encuentra parcialmente llena, así se evita que se detengan los servicios de la computadora.
Este tipo de memoria se popularizó con la salida al mercado de sistemas operativos gráficos tales como MacOS de Macintosh® (actualmente Apple®) ó Windows de Microsoft®, debido a que la memoria instalada en la computadora es regularmente insuficiente para el uso de ventanas, aunque al parecer el sistema operativo UNIX lo utilizaba de manera normal antes que sus competidores.
OTROS TIPOS DE MEMORIA RAM
EDO RAM "Extended Data Out Random Access Memory", memoria de acceso aleatorio con salida de datos extendida Tecnología opcional en las memorias RAM utilizadas en servidores, que permite acortar el camino de la transferencia de datos entre la memoria y el microprocesador.
BEDO RAM "Burst EDO Random Access Memory", memoria de acceso aleatorio con salida de datos extendida y acceso Burst Tecnología opcional; se trata de una memoria EDO RAM que mejora su velocidad gracias al acceso sin latencias a direcciones contiguas de memoria.
SDRAM "Synchronous Dinamic Random Access Memory", memoria dinámica de acceso aleatorio Tecnología DRAM que utiliza un reloj para sincronizar con el microprocesador la entrada y salida de datos en la memoria de un chip. Se ha utilizado en las memorias comerciales como SIMM, DIMM, y actualmente la familia de memorias DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4, GDDR, etc.), entran en esta clasificación.
FPM DRAM "Fast Page Mode Dinamic Random Access Memory", memoria dinámica de paginación de acceso aleatorio Tecnología opcional en las memorias RAM utilizadas en servidores, que aumenta el rendimiento a las direcciones mediante páginas.
RDRAM "Rambus DRAM", memoria dinámica de acceso aleatorio para tecnología Rambus Memoria DRAM de alta velocidad desarrollada para procesadores con velocidad superior a 1 GHz, en esta clasificación se encuentra la familia de memorias RIMM.
RIMM Proviene de ("Rambus In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de memoria de línea con bus integrado (este nombre es debido a que incorpora su propio bus de datos, direcciones y control de gran velocidad en la propia tarjeta de memoria): son un tipo de memorias RAM del tipo RDRAM ("Rambus Dynamic Random Access Memory"): es decir, también están basadas en almacenamiento por medio de capacitores), que integran circuitos integrados y en uno de sus lados tienen las terminaciones, que sirven para ser insertadas dentro de las ranuras especiales para memoria de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo RIMM, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.
« Este tipo de memorias siempre deben ir por pares, no funcionan si se coloca solamente un módulo de memoria.
« Todas las memorias RIMM cuentan con 184 terminales.
« Cuentan con 2 muescas centrales en el conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
« La memoria RIMM permite el manejo de 16 bits.
« Tiene una placa metálica sobre los chips de memoria, debido a que estos tienden a calentarse mucho y esta placa actúa como disipador de calor.
« Como requisito para el uso del RIMM es que todas las ranuras asignadas para ellas estén ocupadas.
DDR Tiene una sola muesca de posicionamiento, situada a la derecha del centro del módulo.
Los módulos DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) son una evolución de los módulos SDR. Se trata de módulos del tipo DIMM, de 184 contactos y 64bits, con una velocidad de bus de memoria de entre 100MHz y 200MHz, pero al realizar dos accesos por ciclo de reloj las velocidades efectivas de trabajo se sitúan entre los 200MHz y los 400MHz. Este es un punto que a veces lleva a una cierta confusión, ya que tanto las placas base como los programas de información de sistemas las reconocen unas veces por su velocidad nominal y otras por su velocidad efectiva.
Estas memorias tienen un consumo de entre 0 y 2.5 voltios.
Los módulos DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) son una evolución de los módulos SDR. Se trata de módulos del tipo DIMM, de 184 contactos y 64bits, con una velocidad de bus de memoria de entre 100MHz y 200MHz, pero al realizar dos accesos por ciclo de reloj las velocidades efectivas de trabajo se sitúan entre los 200MHz y los 400MHz. Este es un punto que a veces lleva a una cierta confusión, ya que tanto las placas base como los programas de información de sistemas las reconocen unas veces por su velocidad nominal y otras por su velocidad efectiva.
Estas memorias tienen un consumo de entre 0 y 2.5 voltios.
DDR-2 Proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa transmisión doble de datos segunda generación (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar y además recibir los datos de manera simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard).
« Todas las memorias DDR-2 cuentan con 240 terminales.
« Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
« Como sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras para memoria.
« Tiene un voltaje de alimentación de 1.8 Volts.
DDR-3 Proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisión doble de datos tercer generación: son el mas moderno estándar, un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard).
« Todas las memorias DDR-3 cuentan con 240 terminales. |
« Una característica es que si no todas, la mayoría cuentan con disipadores de calor. |
« Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta ó para evitar que se inserten en ranuras inadecuadas. |
« Como sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras para memoria. |
« Tiene un voltaje de alimentación de 1.5 Volts hacia abajo. |
« Con los sistemas operativos Microsoft® Windows mas recientes en sus versiones de 32 bits , es posible que no se reconozca la cantidad de memoria DDR3 total instalada, ya que solo se reconocerán como máximo 2 GB ó 3 GB, sin embargo el problema puede ser resuelto instalando las versiones de 64 bits. |
DDR-4 Proviene de ("Dual Data Rate 4"), lo que traducido significa transmisión doble de datos cuarta generación: se trata de el estándar desarrollado por la firma Samsung® para el uso con futuras tecnologías. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso de tecnología tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta, y según las imágenes liberadas por el sitio Web, 240 terminales, las cuáles están especializadas para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generación
Actualmente está en fase de presentación y no se comercializa, pero se espera que sea el reemplazo del estándar de memorias RAM tipo DDR-3 ("Double Data Rate - 3 ").
« Cuentan con 240 terminales para la conexión a la Motherboard. + Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta ó para evitar que se inserten en ranuras inadecuadas.
« Como sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras para memoria.
« Utiliza la tecnología de 30 nanómetros para su fabricación. + Tiene un voltaje de alimentación de 1.2 Volts, menor a las anteriores por lo que según la firma, es más ecológica.
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